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TS75NF75--创立达科技推出的新一代N沟道MOSFET

创立达公司于2006年12月28日正式推出了具有自主知识产权的新一代N沟道MOSFET—TS75NF75，它采用国际先进水平的0.25umDMOS工艺。　　TS75NF75具有出色的热阻(0.9℃/W)和较低的RDS(ON)(40A时为10mΩ)，额定电压为75V，额定电流为75A，常规封装外形为TO-220和DPAK，满足SGS和欧盟RoHS标准，可以完全替代IR、ST等国外同类产品。　　TS75NF75将低导通电阻与快速切换及低栅电荷特性相结合，能妥善处理高漏极电流，其低损耗的特点有助于优化输出效率，为单管高效运行提供最大功率，非常适合于高效开关电源。由于该器件对栅极驱动的要求较低，因此在更高负载功率的应用中，采用平行设置的场效应管，可以实现90%以上的效率，是电动车控制器理想的关键器件。