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TS75NF75--创立达科技推出的新一代N沟道MOSFET
创立达公司于2006年12月28日正式推出了具有自主知识产权的新一代N沟道MOSFET—TS75NF75,它采用国际先进水平的0.25umDMOS工艺。
TS75NF75具有出色的热阻(0.9℃/W)和较低的RDS(ON)(40A时为10mΩ),额定电压为75V,额定电流为75A,常规封装外形为TO-220和DPAK,满足SGS和欧盟RoHS标准,可以完全替代IR、ST等国外同类产品。
TS75NF75将低导通电阻与快速切换及低栅电荷特性相结合,能妥善处理高漏极电流,其低损耗的特点有助于优化输出效率,为单管高效运行提供最大功率,非常适合于高效开关电源。由于该器件对栅极驱动的要求较低,因此在更高负载功率的应用中,采用平行设置的场效应管,可以实现90%以上的效率,是电动车控制器理想的关键器件。
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